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0.3%～0.4%的效率提升。随着领跑者计划的推出，中国光伏行业制造水平、应用水平、标准及测试等方面均整体大幅提升，在组件产品转换效率提升方面促进作用更是明显。目前，我国光伏设备行业已经全面进入拼质量
电池技术拥有广泛的应用前景。相比一般电池技术，PERC电池增加了两道额外的工序：背面钝化层的沉积和激光开槽。因为需增加两套设备的投资，按目前的生产情况传递到组件端单瓦成本略高，但随着生产规模的扩大及

。生产过程大致可分为五个步骤： a.提纯过程 b.拉棒过程 c.切片过程 d.制电池过程 e.封装过程。 3太阳能电池应用上世纪60年代，科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术通信卫星供电
不可缺少的基本材料。高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原

有力支持。规模优势突出，技术指标领先。截至2016年3月末，公司硅片年产能达15GW，已成为全球最大的硅片供应商，规模优势突出。在产能扩大的同时，公司通过技术研发、设备升级等手段，使硅片良品率及
控股股东，因此发行人的控股股东是保利协鑫能源。保利协鑫能源成立于2006年7月，目前市值约200亿港元，香港主要营业地址为香港九龙柯士甸道西1号环球贸易广场17楼1703B-1706室，主要为太阳能

要向当地供电营业厅办理申请，填写分布式电源项目接入申请表(部分地区需要同时提供组件、逆变器等主要设备认证、检测报告并加盖公章)。法人单位申请1)企业法人、经办人居民身份证原件及复印件；2法人委托书原件
）项目前期工作相关资料；7）主要电气设备一览表。注意：目前各省电力部门执行国家对太阳能发电相关规定的优惠政策，并网安装、调试，直至验收合格正式启用并网的全部过程都是完全免费的。（部分地区实际操作中电

对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。图2A. 单晶电池金字塔绒面图 2B. RIE制备的多晶电池绒面减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从
最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用双层SiNx1/SiNx2减反射膜，板式PECVD则采用渐进式减反射膜。由于SiNx薄膜可调

钝化处理，形成绒面结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的
如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面的钝化效果

结构，如图2B。其绒面反射率可达到4%以下。减反射膜利用光的干涉相消原理，减小入射光的反射。从最开始的单层膜，已经发展到现在的双层减反射膜和渐进式减反射膜。根据所用镀膜设备的不同，管式PECVD通常采用
%以上的高效多晶电池的批量生产，有望在年内实现20.5%以上量产效率。其高效多晶硅电池结构如图7所示。以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化

全球主要光伏市场，如日本补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低
，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC电池、N型电池规模化生产进一步扩大。与此同时，我国近99%光伏产品采用晶硅技术，新型薄膜、异质结、高倍聚光等技术路线发展缓慢，技术路线单一化程度偏高，产业后续发展隐患

补贴持续下调、美国税收抵免政策到期等带来的波动影响，企业扩产仍需理性。 B 发展趋势（二）产业投资持续增强技术水平不断提升技术水平不断提升，生产成本逐步降低。2015年，在内外部环境的共同推动下
%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步，金刚线切割技术将得到进一步应用，PERC

反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值

切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中，仅固定投资成本部分（不含配套的水电、原料及人力等成本）将增加0.16元/片左右。并且，即便多晶
晶硅低至少3%以上，单晶硅电站投资回报率（IRR）比多晶电站至少高2.78%。综上所述，单多晶材料性能对比，单晶VS多晶，行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
，行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流