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来自马来西亚的研究人员开发了一种锡锗基钙钛矿太阳能电池，其潜在效率高达31.49%。通过在钙钛矿吸收器中将锡和锗作为混合B阳离子整合，他们能够通过调节钙钛矿层厚度实现24.25%至31.49%的效率
。在钙钛矿吸收器中使用混合阳离子有可能提高稳定性、光吸收和电荷载流子迁移率。通过在B阳离子中加入锡和锗，研究人员能够减少缺陷并提高电池性能。模拟表明，改变钙钛矿层的厚度会产生不同的效率，6,000

、钛基金属复合板，模锻件机械加工件）4.锡基新材料〔锡丝、锡膏、BGA（球栅阵列封装）锡球、预成型焊片等，有机锡热稳定剂、有机锡催化剂、无机锡功能材料、锡基新型阻燃剂等〕5.光电子微电子新材料（高纯锗
单晶材料、光伏/光纤级锗材料、红外级锗材料等新材料，砷化镓单晶片、碳化硅单晶片、ITO靶材等）6.稀土、化工等其他新材料（稀土冶炼分离，稀土发光材料、稀土储能材料、稀土磁性材料和超高纯稀土金属及其

黄昆与谢希德合著的《半导体物理学》。靠着这些从书堆里搜索到的资料，小组成员了解到“硅的熔点比锗要高出469摄氏度”。也就是说，进行硅单晶提纯离不开高温条件。但这可让小组犯了难，因为当时能找到的只有一台
还有很大的距离，小组成员再次陷入困局。此时，宛吉春厂长打听到北京有色金属冶金院有拉锗单晶的设备。宛厂长认为，虽然拉锗单晶和硅单晶差距，但是去北京看看，说不定能找到可借鉴之处。随即派丁守谦赶往北京学习

的开发与应用。(三)开展光电器件核心技术攻关突破硅基光电异质集成技术，加强硅光芯片、异质集成材料及器件的研发，推动硅基无源器件、锗硅探测器、硅调制器等产品应用。实施重点产品高端提升行动，发展高速光通信

提供铋、镓、锗、铟、硒和碲等纯金属，以及碲化镉(CdTe)等相关II-VI半导体化合物，硫化镉(CdS)和锑化铟(InSb)。美国制造商First Solar自2007年以来一直是其客户之一。在去年11月宣布的最新供应协议中，这家面板制造商同意购买半导体材料，用于制造CdTe面板。

一次后，杂质随熔区移到尾部。利用这种方法可以进行多次提纯，多次移动熔区可以达到更好的提纯效果。但由于液固相转变温度高、能耗大，多次区熔提纯成本高。区熔法有水平区熔和悬浮区熔，前者主要用于锗提纯
，以及生长锗单晶，硅单晶的生长主要采用悬浮区熔法，生产过程中不使用坩锅，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间。由于悬浮区熔时，熔区呈悬浮状态，不与任何物质接触，因而不会被沾污。此外，由于硅中