3、实验结果与分析
3.1、光学损失
从图1中可以看出单晶电池的光谱响应QE要远远好于多晶电池片的光伏响应。一方面是因为单晶电池片的效率要高于多晶电池片，其次单晶多晶的制绒不同，多晶由于晶界分布不规则，采用酸性制绒，为各向同性腐蚀，制绒后反射率在25%左右，单晶晶界排列规则，采用碱性制绒，为各向异性腐蚀，制绒后反射率为10%左右。这些决定了单晶和多晶电池片光谱效应QE的差异。
电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少。单晶组件损失的光电流比多晶组件多，与多晶电池相比，单晶电池在紫外线区域较为出色的光谱响应被浪费掉了。这样不难发现在同样的封装条件下多晶电池在短波段的封装损失要少于单晶电池。
组件在380nm-450nm，900nm-1200nm波段之间的量子效率要高于单晶和多晶电池，是因为电池在做成组件的时候不止存在光学损失，同时也存在光学增益，在光照射在电池、焊带或者背板上时，由于组件玻璃对光线的反射，会有光线再次照射在电池上，增加组件的对光线的吸收利用。
多晶量子效率本身偏低，所以经过封装以后，多晶组件的光学增益要多于单晶组件，这样多晶组件在380nm-450nm及900nm-1200nm波段的封装损失也会少于单晶组件。
以上光学因素决定了单晶组件CTM损失要多于多晶组件。但是没有更好的解决单晶组件光学损失的方法。
3.2、B-O复合损失
由表1的实验结果，不难发现单晶电池LID较多晶电池严重，这主要是因为单晶原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。
多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下产生的硼氧复合就会减少，因此多晶硅电池的LID光衰值相对偏低。这样导致了多晶CTM损失要低于单晶。要改善单晶CTM可以想办法减少单晶产品的LID光衰情况。
减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。
4、结论
本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。
